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iPhone11被指在摄像头和开机键附近发热严重

iPhone 11系列于上周正式开售,在网友们刚刚平息了对“浴霸式”摄像头和5G功能吐槽后,其发热问题又引发热议。有网友称,iPhone 11运行存在发热严重问题,位置主要集中在摄像头下方附近和开机键附近。

图片来自微博

有媒体认为,iPhone 11系列的A13仿生芯片以及主板设计问题导致了过热现象。iPhone 11 采用的是仿生A13 处理器,虽然较上一代处理器性能提升了20%,但发热量也随之上升。iPhone 11系列采用的双层主板设计也不利于散热,双层主板的内部结构比较紧凑而导致散热空间不足,该设计使其自身的散热性存在“天然不足”。

苹果第三方维修服务商GeekBar表示,iPhone 11处于部分场景下会温度明显升高。比如,在激活、导入导出数据时会发热;长时间相机拍照时会变得温热;而在其他场景下没有温度过高的表现。

另据媒体表示,iPhone 11摄像头附近发热,是由于拍照预览同时启动了三颗摄像头的准备工作,导致CPU负荷加大。

此外,信号问题同样是iPhone 11系列的软肋之一,虽然苹果公司与高通正式和解,但iPhone 11系列仍搭载的是英特尔XMM7660基带芯片。该基带相比去年iPhone XS系列搭载的旧款在性能方面略有提升,但性能却依然弱于高通基带。因此,iPhone 11系列还是没有能够解决信号弱的问题。

(综合自北京青年报、金融界、快科技)

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